在半导体工程中，什么是 PN 节？ - 知乎
PN结的特性包括： 单向导电性：当PN结上施加正向电压（即P端接电源正极，N端接电源负极），内建电场被削弱，外部电场促使多数载流子（N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴）更容易越过结 …
为什么二极管大多数pn结都是P重掺杂而不是N重掺杂？ - 知乎
设计高反向耐压PN结二极管的一个重要问题是，掺杂水平在1019cm-3以下的N型区将与金属产生很大的接触电阻，这对于工作在大电流密度下的功率半导体器件来说是不能被接受的。 因此，N型区为低掺 …
pn结的原理？ - 知乎
由于正向偏压基本上落在载流子很少，电阻很大的势垒区， 此时扩散流大于漂移流，当正向偏压一定时，在pp'处就有一不变的向p区内部流动的电子扩散流，而在边界nn'处也有一不变的向n区内部流动的 …
我理解的半导体 pn 结的原理，哪里错了？ - 知乎
当PN结形成的时候，P型半导体和N型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当PN结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得P型和N型半导体的费米能级 …
PN结中漂移远动和扩散远动什么意思？ - 知乎
Jan 6, 2021 · PN结：P型掺杂区和N型掺杂区接触形成，两者之间存在一个动态平衡。 P区：多子为空穴，少子为自由电子。 N区：多子为自由电子，少子为空穴。 由于存在浓度梯度，多子会向少子方向 …
为什么在PN结两端施加正向电压会减小势垒电压 (减小耗尽层宽度)？
为什么在PN结两端施加正向电压会减小势垒电压 (减小耗尽层宽度)？ 书上说外电压会削弱势垒电压，所以阻挡层内合成电场减弱，扩散运动加强，空间电荷量减少，耗尽层宽度变窄。 但是耗尽层的机理 …
PN结正向和反向偏置时载流子是如何运动的？ - 知乎
PN结正向和反向偏置时载流子是如何运动的？ 非半导体专业，目前自学半导体，知道二极管是正向导通反向截止原理，学习三极管时了解到发射结正向偏置时多数载流子可以通过，集电结反向偏置时少数 …
PN结的P区和N区到底是电中性还是呈现正负电性？ - 知乎
Jul 3, 2023 · 而空间电荷区内会形成一个 内建电场，其方向是由N区（带正电）指向P区（带负电）。 我们可以看到由于P区和N区之间“自由电子”和“空穴”的相互扩散，导致在空间电荷区（PN结）上是有 …
什么是PN结的电容效应？ - 知乎
pn结 变厚 pn结里的电荷量随加的电压升高（可变电容 可以等效出一个电容（非线性的 叫做 势垒电容 正向导通情况 自由电子作为p区 非平衡少子 浓度增加 空穴作为n区非平衡少子浓度增加 所以累计在pn …
为什么PN结正接，空间电荷区变窄，而不是变宽？ - 知乎
为什么PN结正接，空间电荷区变窄，而不是变宽？ 加正偏时,空穴电子都向界面运动.会相互复合而消失,所以不能移动的的带电离子增多,空间电荷区变宽.反之,加反偏空穴电子相界面相反方向运动.空穴电 …